Les travaux de Mathis Picot-Digoix, doctorant Cifre Safran Tech – Laplace Groupe CS, ont été distingués parmi plus de 200 posters pour être présentés en avant-première en session Preview Highlight Poster à l’ouverture d’une des plus renommées conférences internationales du domaine de l’électronique de puissance : IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) », 2025 à Atlanta – USA

Mathis Picot-Digoix à la Session d’ouverture Preview Highlight Poster
de l’IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC),
le 17 mars 2025 à Atlanta, USA.

«  A Highly Integrable, Modular and Multi-Functional
Fault Monitoring Active Gate Driver with Parallel
Buffers for a Global Enhanced Reliability of Gen. 3 SiC
Power MOSFETs »

Pour répondre aux exigences de fiabilité et de sécurité des futurs systèmes de puissance embarqués aéronautiques, ces travaux visent à équiper les MOSFETs SiC de drivers de grille intelligents pour compenser leurs faiblesses (courte durée de tenue aux courts-circuits et dérive de leur état de santé). Les nouvelles générations de MOSFETs SiC présentent des durées de tenue aux courts-circuits réduites ce qui contraint à développer de nouvelles méthodes de détection de courts-circuits plus rapides que la méthode DeSat bien répandue dans l’industrie. Un driver de grille multi-voies parallèles avec détection étendue des défauts électriques et surveillance de l’intégrité de l’oxyde de grille via la tension grille-source est proposé. Sur des MOSFETs SiC 1200 V Gen. 3, les courts-circuits de types 1 et 2 sont détectés en 890 ns et 235 ns respectivement. Les fissures de l’oxyde sont identifiées avant perte de contrôlabilité, et la robustesse de la méthode est validée expérimentalement.

Contact chercheurs

Mathis PICOT-DIGOIX mathispicotdigoix@live.fr

Frédéric RICHARDEAU (Dir. de thèse) frederic.richardeau@laplace.univ-tlse.fr

Liens externes

Conférence IEEE APEC 2025 : https://apec-conf.org/welcome-to-apec-2025/

Article en version Open Access : https://hal.science/hal-05055366

Article en version Editeur : https://ieeexplore.ieee.org/document/10977120

Réf. de citation :

Mathis Picot-Digoix, Léo Seugnet, Frédéric Richardeau, Jean-Marc Blaquière, Sébastien Vinnac, et al.. A Highly Integrable, Modular and Multi-Functional Fault Monitoring Active Gate Driver with Parallel Buffers for a Global Enhanced Reliability of Gen. 3 SiC Power MOSFETs. 2025 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Mar 2025, Atlanta, United States. pp.2718-2724, ⟨10.1109/APEC48143.2025.10977120⟩. ⟨hal-05055366⟩

 

UMR 5213 LABORATOIRE PLASMA ET CONVERSION D’ÉNERGIE
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