Développement d’un modèle de simulation multi-physique 2D
d’un transistor de puissance GaN HEMT dans l’environnement de simulation Comsol – Application à l’étude des stress thermiques, métallurgiques et thermo-mécaniques
en régime extrême de court-circuit fonctionnel (Publié le 31/03/2026)

Responsables : 

• Frédéric Richardeau – CNRS, UT, frederic.richardeau@laplace.univ-tlse.fr
• Emmanuel Sarraute, UT – Jean Jaurès, Toulouse INP, emmanuel.sarraute@laplace.univ-tlse.fr

Type de poste : Post-doc