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Commande rapprochée ultra-rapide intégrée en technologie CMOS pour les transistors de puissance à semi-conducteurs grand-gap

par Laurence Laffont - publié le , mis à jour le

La soutenance de thèse de Plinio BAU, intitulée « Commande rapprochée ultra-rapide intégrée en technologie CMOS pour les transistors de puissance à semi-conducteurs grand-gap » aura lieu le jeudi 3 décembre 2020 à 10h en visioconférérence.

Cette thèse a eu lieu dans le cadre d’une collaboration LAPLACE / IRT Saint Exupéry.

Lien Zoom :
https://inp-toulouse-fr.zoom.us/j/95781776395?pwd=NE9uQnh4b2NNeUEwelVqRnAwdDJEdz09

ID de réunion : 957 8177 6395
Code secret : 340031
Pensez à bien éteindre vos micros et caméras.

Composition du jury :

M. Bruno ALLARD - École Centrale de Lyon laboratoire Ampère -Rapporteur
M. Nadir IDIR - Université de Lille L2EP - Rapporteur
M. Francois COSTA - Université Paris Est Créteil laboratoire SATIE - Examinateur
Mme. Radoslava MITOVA - Schneider Electric - Examinatrice
M. Frédéric RICHARDEAU - Institut National Polytechnique de Toulouse - LAPLACE - Examinateur
M. Nicolas ROUGER - Institut National Polytechnique de Toulouse LAPLACE - Directeur de thèse
M. Marc COUSINEAU - Institut National Polytechnique de Toulouse LAPLACE - Co-directeur de thèse
M. Bernardo COUGO - Institut National Polytechnique de Toulouse LAPLACE - Co-Directeur industriel
M. Olivier CREPEL - Airbus Central R&T - Invité

Résumé :
Dans cette thèse, nous présentons une technique de contrôle actif de grille pour maîtriser la vitesse de commutation de transistors de puissance à semi-conducteur grand–gap (technologies SiC et GaN).
Un circuit de commande rapprochée innovant, permet de ralentir la vitesse de commutation à l’amorçage du transistor de puissance, réduisant ainsi les perturbations CEM, sans pour autant impacter trop lourdement les pertes de commutation.
La méthode proposée est implémentée dans deux circuits intégrés en technologie CMOS qui permettent d’obtenir des temps de réaction pour une boucle de rétroaction inférieurs à la nanoseconde. Avec de telles performances, il est montré expérimentalement qu’il est possible de contrôler des vitesses de commutation supérieures à 100 V/ns sous des tensions de 400 V.

Mots-clés :
Commande rapprochée, vitesse de commutation, composants grand gaps, dv/dt, Système bouclé, CEM (compatibilité électromagnétique).

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