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Convertisseurs pour l’intégration de puissance à haute performance

publié le , mis à jour le

L’intégration en électronique de puissance est essentiellement bidimensionnelle car la conception est contrainte par la nécessité d’une surface plane d’échange thermique. Le développement d’une filière technologique nouvelle permettant d’utiliser la troisième dimension doit redonner des degrés de liberté et permettre d’obtenir des systèmes plus compacts, plus faciles à produire de manière automatisée, et donc moins chers.

Méthodes et outils pour le dimensionnement et prototypage de convertisseurs statiques intégrés [2012-2015, Thèse : L. Havez]
Convertisseur multicellulaire parallèle isolé à 8 phases et MOSFET silicium (28V/270V - 12kW - 50kHz) [en] 8-phase isolated multicell parallel converter based on silicon MOSFET transistors (28V/270V - 12kW - 50kHz)
Intégration de condensateur de mode commun et mode différentiel sur substrat alumine pour cellule de commutation à MOSFET silicium
Coupleur instrumenté à 8 phases pour chargeur-déchargeur de batterie à haut rendement (20kHz - 137kW – rendement 98%)
Banc de testes basés sur la méthode d’opposition et piloté par carte FPGA et interface Matlab©. Ce banc a été développé pour caractériser automatiquement les pertes en commutation des composants « grand gap » et aussi des composants classiques à base de silicium. [2012-2015, Thèse J. Brandelero]
Mise en œuvre de commande modulaire dédiée à un micro-convertisseur DC/DC sur technologie CMOS 0,35µm/5V. Ce circuit consiste à la génération des porteuses entrelacées et l’auto-alignées, ce qui permet l’équilibrage de courants des phases d’un convertisseur d’énergie multicellulaire. [2010-2013, Thèse Z. Xiao]